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格棋化合物半導體
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格棋化合物半導體Q4興櫃 強攻碳化矽
2025/9/3
 看好碳化矽(SiC)發展潛力,格棋化合物半導體積極擴產,將於 第四季登錄興櫃。格棋將透過技術創新、產能韌性與去中化策略,深 化與北美及日本廠商的合作,提升國際市場能見度。

  Yole Group最新《Power SiC 2025》報告,全球碳化矽功率元件市 場將於2030年突破103億美元,2024∼2030年均複合成長率20.3%。 其中,6吋碳化矽晶圓仍是現階段主要產線平台,8吋則為中長期擴產 與降本方向,兩者將依應用需求長期共存。

  格棋已具備6吋穩定量產能力,並完成8吋平台前期驗證,年底可望 放量。同時,格棋也已投入大尺寸晶圓(含12吋)研發,並規劃未來 合適時機導入量產。

  格棋為台灣少數具備長晶、晶棒加工到晶圓出貨垂直整合的業者, 核心技術涵蓋材料物性控管、籽晶精度、熱場設計與模組穩定性。透 過自主開發與測試調整,成功降低結晶缺陷密度,晶圓導電穩定性已 達國際水準。

  產能部署方面,格棋長晶爐規模已突破百台,並持續擴充。同時, 亦於台灣購地並興建萬坪新廠,規劃成為總部與研發中心,全面提升 產能彈性與營運韌性。

  格棋產品線涵蓋導電型與半絕緣型晶圓,應用於電動車主驅模組、 光儲逆變器與AI高功率伺服器,並已通過多家國際大廠驗證。

  面對「去中化」趨勢,格棋展現自製與客戶認證能力,可確保供應 安全。該公司同時導入「虛擬IDM」模式,整合原料來源、長晶、設 計驗證到終端模組應用,打造一站式服務,針對不同區域客戶提供在 地化支援。

  格棋也啟動北美、日本與歐洲合作計畫,並規劃設立技術據點,為 國際Tier 1車廠與通訊大廠提供即時服務,加速碳化矽在全球的落地 進程。

  董事長張忠傑指出,碳化矽並非快速爆發型市場,而是具備長期技 術壁壘與應用黏著度的戰略材料。格棋預計四季登錄興櫃,透過資本 市場推動產能規模與研發投入,奠定台灣在全球碳化矽材料供應鏈中 的戰略地位。   <摘錄工商>
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