後段測試廠為DDR3布局準備 業者估計DDR3出貨量將於2010年
超越DDR2
在英特爾（Ｉｎｔｅｌ）強力主導ＤＤＲ３架構下，不僅
ＤＲＡＭ廠加速配合量產，同時在後段封測部分，由於封裝機台
與原ＤＤＲ２相同，在測試設備部分，除了力成投資較大外，其
他測試廠掀戰以現有機台支應，因此封測廠包括日月鴻、矽品、
力成、聯測、南茂、華東和福懋科等均整暇以待，迎接ＤＤＲ３
時代。設備業者則預估最慢ＤＤＲ３將於２０１０年出貨量超過
ＤＤＲ２。
英特爾的產品藍圖以整合性高的多晶片定調，意味著記憶體速度
須加快，在強力主導下，成為轉進ＤＤＲ３助力，預期ＤＤＲ３
將自２００８年下半出貨量將逐漸增加，成為主流的時間點應該
會早於２０１０年。２００８年主流雖仍屬１Ｇ的ＤＤＲ２，但
記憶體相關業者均在為ＤＤＲ３進行佈局，不僅ＤＲＡＭ廠提前
導入ＤＤＲ３量產時程，封測廠也準備以待。
ＤＤＲ３由於傳輸資料速度高於ＤＤＲ２，引腳數目會有所增加
，８位晶元採用７８球細線距球閘陣列封裝（ＦＢＧＡ）封裝，
１６位元晶片採用９６球ＦＢＧＡ封裝，且必須是綠色封裝，不
能含有任何有害物質。大致來說，ＤＤＲ３封裝技術仍與
ＤＤＲ２相同，採打線ＦＢＧＡ，因此不須換購封裝機台。至於
測試設備，目前以力成投資較顯著，最早大舉新增ＤＤＲ３測試
機台的動作，該公司為因應客戶爾必達需求，已向設備商惠瑞捷
購買３台高速測試機台，現已小量出貨。其餘封裝廠普遍暫以現
有測試機台支應。南茂和泰林亦直指具備ＤＤＲ３封測技術。力
成董事長蔡篤恭曾推估ＤＤＲ３躍升主流時點可望比２００９年
提早。
設備廠商認為，ＤＤＲ２價格太便宜，在獲利的考量下，這將會
驅使業者加快轉進ＤＤＲ３，以轉進高單價產品，以拉升目前下
滑的毛利率，預期ＤＤＲ３將於２０１０年出貨量正式超過
ＤＤＲ２。
<摘錄電子2版>
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