前訊系統（Actrans）與力晶半導體日前共同於夏威夷舉行之「2004年
國際超大型積體電路會議」（VLSI Symposium）中，首次發表全新之
分散閘快閃記憶體技術 ， 以 0.15 微米製程技術成功地開發出高密度
512Mb NAND型快閃記憶體。

前訊與力晶於一年半前開始共同開發512Mb NAND型快閃記憶體，並
已於日前成功產出樣品，現正接受客戶認證中，前訊系統並訂於 7 月
15 日舉辦「93 年產品暨技術發表會 – NAND & NOR Flash Memory」
，正式宣布推出該項產品，未來將應用於 MP3、Pen-Drive、DSC、CF
Card、Multimedia Card、SD Card及Camera Phone 等消費性產品。

前訊表示，該公司的分散閘NAND技術採三層複晶矽（Triple Poly），
並用第三層複晶矽形成緊臨記憶細胞的選擇閘，重複此一單元結構衍
生之NAND架構。 此種分散閘 NAND架構與目前日本東芝及韓國三星
所開發生產之堆疊閘 NAND型快閃記憶體，在物理機制及電路系統上
有極大差異。

與主流結構堆疊閘 NAND比較，前訊的分散閘 NAND具有較小的單位
面積、較低之抹除與寫入內部操作高電壓（前訊僅需內部 12V、而堆
疊閘NAND需內部18~20V），以及較小之高電壓藕合需求等優點。由
於其不須高電壓操作，故其寫入及抹除動作之電性干擾極低，且因無
須使用穿隧氧化層（tunnel oxide），使產品在 data retention 及enduran
ce可靠度大為提升。

前訊指出，分散閘 NAND技術由於採用不同的物理機制，理論上可以
2 至10 倍的速度進行資料抹除與寫入操作，此一優勢在系統應用上可
大幅減少操作間等待時間、提昇使用效率。
<摘錄電子B4版>