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高平磊晶科技

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高平磊晶科技股份有限公司 股價,公司資料

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2013/1/89.89.89.8-10----0
2012/12/219.89.89.8-10----0
2012/12/209.89.89.8-10----0
2012/8/279.89.89.8-10----0
2012/7/309.89.8議價-10----0
2012/7/279.99.99.9 6.45%20----0
股票代號6413
統一編號16130866 資本額(實收)395,000,000元
董事長謝其嘉經理人但唐諤
發言人但唐諤代理發言人鍾靜琪
公司電話03-5798181 公司傳真03-5788865
發言人電話03-5798181成立日期90/02/07
公司地址新竹科學工業園區新竹市力行路2-1號
公司網址www.kopin-tw.com
普通股0股特別股0股
上興櫃日期0 下興櫃日期-
產品/業務砷化鎵異質雙載子電晶體(HBT)磊晶片
股務代理康和綜合證券(股)公司股務代理部股務電話02-87871888
股務地址台北市信義區基隆路1段176號B1
簽證會計師勤業眾信聯合會計師事務所
歷年除權除息尚無相關資料
高平磊晶科技最新動態-茂達、傑霖 2026年營運喊衝-未上市股票新聞

高平磊晶科技與展旺生命科技,獲得新竹科學園區「創新技術研
究發展產學合作畫獎助審核會議」,通過共計獎助643萬元,
分別進行:高功率異質場效電晶體元件研究、及新型類投生素藥
物合成及製程技術開發。
 
竹科管理局表示,第158次創新技術研究發展產學合作計畫獎
助通過二案,首先是高平磊晶科技與交通大學展開產學合作的「
氮化鎵成長於矽基板應用於高功率異質場效電晶體元件研究」,
獲得400萬元獎助。此元件具有高導熱係數、耐高壓、高功率
的特性,可應用在太陽能電池、燃料電池與油電混合車的直流電
轉交流電的電流轉換元件上。 

高平磊晶將利用MOCVD於矽晶圓面上成長厚度達2微米以上
、無裂痕的氮化鎵(GaN)薄膜。考量到矽基板和氮化鎵之間
,存在晶格不匹配的問題,將先在矽晶圓上成長氮化鋁作為緩衝
層,以解決氮化鎵和矽間晶格不匹配和熱膨脹係數的差異,接著
在氮化鎵磊晶層上成長氮化鋁鎵(AlGaN)形成二維電子氣
層(2-DEG),製造出以矽基板的氮化鎵異質場效電晶體元
件。

展旺生命科技與清華大學進行產學合作的「伊特培南創新合成及
製程技術開發」研發案,獲243萬元獎助。伊特培南(
Ertapenem)是一種新型的carbapenem類抗
生素藥物,被應用於治療由需氧菌/厭氧菌混合感染的新式有效
治療劑。
<摘錄經濟D7版>
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