英特磊科技(4971)為三五族磊晶產業的獲利小巨人，技術領先並站在產業趨勢浪頭上，掌握關鍵MBE生產技術暨化合物特性，確保高毛利水平，EPS由2009年的0.23元增至2012年的4.53元，且直接與世界級高頻整合元件廠，及高頻量測儀器大廠攜手合作，建構屹立不搖的產業地位，掌握未來技術規格，立足技術平台，深耕利基產品，是值得投資者鎖定關注，且持股共同成長的基礎股票之一；該公司於8 日由董事長康潤生、總經理高永中共同主持舉行掛牌前業績發表會，預定在本月24日正式掛牌。
英特磊成立於1999年，目前資本額2.59億元，生產基地位於美國德州，採用MBE技術從事砷化鎵(GaAs)、銻化鎵(GaSb)、磷化銦( InP)化鎵等III-V族化合物半導體磊晶(Epi)的生產，由於掌握成本及技術優勢，垂直整合銻化鎵紅外線材料生產線，切入光通訊元件生產，並搭上雲端趨勢，為該公司未來發展更增動能；並且，該公司已打入美國國防部供應鏈，以及掌握最新三五族技術趨勢，基於市場發展趨勢與公司核心競爭力，未來目標是每年營收都有3成的成長率，獲利亦將隨之同步提升。
英特磊毛利率隨產能利用率提升、良率改善與產品組合改變呈逐年提升趨勢，由2007年的9.56％提高至2012年的42.5％，其中，InP磊晶片營收規模持續擴大，毛利率由2009年的26.37％大幅提升至2012 年的57.36％，足證該公司之營運策略奏效，在國際量測大廠InP-HB T訂單挹注下，帶動營收與獲利同步成長。
英特磊具備MBE高技術水準、客製化彈性及量產能力，且與世界級大廠建立良好合作關係，伴隨通訊產業需求帶動三五族化合物半導體產業發展，智慧手機快速成長帶動GaAs需求，網際網路流量需求倍速成長拉升高頻元件與光通訊元件需求，產業供應鏈完整帶動磊晶需求，未來成長可期。<擷錄工商>
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