對於電晶體層級的故障，精準定位是進行下一步材料分析最關鍵的一步。過往的做法是利用nano-prober確認電晶體電性，搭配電子束定位技術，如EBIC、EBAC、或EBIRCH，將故障位置縮小到只有50-100奈米，最後由高解析的TEM確認故障狀況。
隨著製程微縮，nano-prober量測難度日益提高，為滿足第一線先進晶圓代工廠與IC設計公司的需求，汎銓科技領先引進同業唯一可支援至少到5奈米製程量測的nano-prober，並搭配與系統整合的EBIC、EBAC、以及EBIRCH功能，讓汎銓科技故障分析如虎添翼，提供先進製程客戶完整一站式的服務。
除了先進故障分析，第一線IC設計公司在先進製程電路修補也有需求，汎銓科技在去年第4季引進最新的FIB電路修補設備Centrios，可支援5奈米製程，搭配最新的離子束系統與整合的多化學氣體輸送設計，難度較高的晶背電路修補，大幅提升成功率與效率。
汎銓科技積極建置高階分析機台，靠著多年經驗累積與自我研發，以超群的故障分析技術工法領先同業。以先進製程晶片全平面╱局部精準去層（delayer）為例，無論大面積且複雜製程的應用處理器，或長條形驅動晶片，都難不倒汎銓經驗豐富的工程師，全平面去層品質更是傲視同業。
市場公認難度較高的先進鰭魚式電晶體（FinFET）全去層，汎銓憑藉自行研發的特殊工法，有較高的成功率，獲得重要客戶認同。隨著積體電路進入超越摩爾定律時期，新型態異質整合封裝體與第三類半導體日新月異，因應此新趨勢，汎銓開發各式封裝體的開蓋（decap），與取三五族晶片技術，讓分析無縫接軌，成為半導體高階製程真正的領航者。
<摘錄經濟>
服務電話: 0800-268-882、 0800-268-883
股東會訊息