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格棋化合物半導體

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格棋化合物半導體股份有限公司 股價,公司資料

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統一編號90282276
公司名稱格棋化合物半導體股份有限公司
成立日期111/06/15
代表人張忠傑
公司地址桃園市中壢區西園路99之9號
資本額1,500,000,000
資本額(實收)700,000,000
產品/業務CC01080 電子零組件製造業
C801010 基本化學工業
C801030 精密化學材料製造業
C801990 其他化學材料製造業
CE01030 光學儀器製造業
F119010 電子材料批發業
F219010 電子材料零售業
F401010 國際貿易業
I501010 產品設計業
ZZ99999 除許可業務外,得經營法令非禁止或限制之業務
歷年除權除息尚無相關資料
格棋化合物半導體最新動態-鴻勁今年營運 有望再衝高-未上市股票新聞
台灣專業碳化矽(SiC)長晶技術領導廠商-格棋化合物半導體(下稱格棋),於SEMICON Taiwan 2025展出最新大尺寸SiC材料解決方案,聚焦晶體缺陷密度與結構完整性的突破,以滿足業界對高可靠度、高一致性SiC晶圓日益升高的需求。此次展示格棋最新製造成果,包括:原始粉體、8吋導電與半絕緣晶棒與晶圓,體現其從原料到晶圓的垂直整合能力,也為SiC材料應用從實驗走向量產的關鍵里程碑。

隨著電動車、高頻通訊與衛星應用的擴張,8吋SiC晶圓成為新一代功率元件的材料核心。然而,「尺寸放大」並非技術終點,更嚴峻的挑戰是晶體缺陷控制。格棋針對常見的微管(Micropipe)、堆疊錯位(SF)、基底位錯(BPD)等問題,已建構出一套跨越熱場設計、碳比控制、雜質抑制到結晶動態調控的製程策略,將缺陷密度壓低至10²╱cm²以下,大幅提升晶圓可用率與客戶加工良率。

此次展出的5項實體成果,涵蓋高純度粉體、8吋半絕緣與導電型晶棒及晶圓,展現格棋可從原料端控制碳矽比例與熱流均勻性,進而降低晶體內部壓力與多晶型生成率。不論是用於雷達與微波通訊的高頻元件,或車用主驅動模組與能源逆變器,格棋均能提供可驗證、可交付的材料方案,協助客戶更快進入新產品認證流程。

此次展會另一亮點是格棋業務處長吳義章榮獲SEMICON Taiwan主辦的「20 Under 40半導體新銳獎」,表彰其在第三類半導體材料產業推動上的技術深耕與市場落地表現。   <摘錄經濟>
目前格棋化合交易量稍小 掛單諮詢line線上詢價
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