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| 2025/12/30 | 議價 | 議價 | 議價 | - | 10 | - | - | - | - | 0 |
格棋化合物半導體最新動態-鴻勁今年營運 有望再衝高-未上市股票新聞
台灣專業碳化矽(SiC)長晶技術領導廠商-格棋化合物半導體(下稱格棋),於SEMICON Taiwan 2025展出最新大尺寸SiC材料解決方案,聚焦晶體缺陷密度與結構完整性的突破,以滿足業界對高可靠度、高一致性SiC晶圓日益升高的需求。此次展示格棋最新製造成果,包括:原始粉體、8吋導電與半絕緣晶棒與晶圓,體現其從原料到晶圓的垂直整合能力,也為SiC材料應用從實驗走向量產的關鍵里程碑。
隨著電動車、高頻通訊與衛星應用的擴張,8吋SiC晶圓成為新一代功率元件的材料核心。然而,「尺寸放大」並非技術終點,更嚴峻的挑戰是晶體缺陷控制。格棋針對常見的微管(Micropipe)、堆疊錯位(SF)、基底位錯(BPD)等問題,已建構出一套跨越熱場設計、碳比控制、雜質抑制到結晶動態調控的製程策略,將缺陷密度壓低至10²╱cm²以下,大幅提升晶圓可用率與客戶加工良率。
此次展出的5項實體成果,涵蓋高純度粉體、8吋半絕緣與導電型晶棒及晶圓,展現格棋可從原料端控制碳矽比例與熱流均勻性,進而降低晶體內部壓力與多晶型生成率。不論是用於雷達與微波通訊的高頻元件,或車用主驅動模組與能源逆變器,格棋均能提供可驗證、可交付的材料方案,協助客戶更快進入新產品認證流程。
此次展會另一亮點是格棋業務處長吳義章榮獲SEMICON Taiwan主辦的「20 Under 40半導體新銳獎」,表彰其在第三類半導體材料產業推動上的技術深耕與市場落地表現。 <摘錄經濟>
目前格棋化合交易量稍小 掛單諮詢line線上詢價

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