台灣專業碳化矽（SiC）長晶技術領導廠商-格棋化合物半導體公司（以下簡稱格棋），10月23日舉行中壢新廠落成典禮，發展目標是要達成半導體材料供應鏈在地化生產，不僅能以優異的品質與更具競爭力的價格供應國內市場，也透過與中山科學研究院（以下簡稱中科院）合作，強化在高頻通訊技術領域的應用，也與日本三菱綜合材料商貿株式會社（Mitsubishi Materials Trading Corporation）簽署合作協議，擴大布局日本民生用品和車用市場。
格棋董事長張忠傑表示：「格棋在8年前即有一群專家投入碳化矽（SiC）的研發，到2022年才成立，由於瞄準未來能源轉型與電動車、電動樁、綠能市場帶來的龐大商機，格棋專注於第三類化合物半導體長晶技術的開發。2023年完成新台幣15億元的A輪募資，中壢新廠落成是格棋發展上的重要里程碑。我們將持續投資先進的設備與技術，以滿足日益成長的市場需求，目前已有小批量的產品銷往法國，未來藉助日本三菱綜合材料商貿株式會社之力將可以積極拓展全球市場，鞏固格棋碳化矽在供應鏈中的關鍵地位。」
因應全球ESG趨勢，格棋中壢新廠規畫導入能源管理系統及儲能系統，並整合再生能源系統，透過削峰填谷方式平衡能源需求，減少高峰時段的能源負荷，進一步降低能源成本及碳排放。
格棋宣布與中科院簽署合作協議，雙方將共同開發高頻通訊用碳化矽元件，透過合作來加速進軍高頻通訊碳化矽市場的腳步，為5G／B5G通訊基礎建設提供關鍵元件。中科院副院長簡定華指出：「有鑑於全球能源不足，為降低能源耗損，第三類化合物半導體比起第二類具有尺寸更小、更節能的效果，將成為未來發展主力，應用範圍也更廣泛。隨著通訊頻段不斷提高，具有高電子遷移率的化合物半導體元件逐漸取代傳統矽基高頻元件。我們期待與格棋的合作能為台灣在高頻通訊領域帶來突破性進展，在軍事用途如5G、雷達的應用上也非常具有發展潛力，更能強化我國在全球通訊產業的戰略地位。」
另一方面，格棋也宣布與三菱綜合材料商貿簽署合作協議，將由三菱綜合材料商貿提供6吋和8吋磊晶片（EPI Wafer）材料，格棋負責整合台灣的合作夥伴資源，未來將向日本客戶提供6吋和8吋晶錠（INGOT）、晶圓（Wafer）與磊晶片（EPI Wafer）。三菱綜合材料商貿社長橋本良作表示：「台灣和日本在半導體產業皆具有關鍵影響力。我們看好碳化矽元件在日本市場的發展前景，與格棋合作將為雙方創造互利雙贏的機會。」<摘錄經濟>
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