半導體設備大廠應用材料發布獨特的電子束（eBeam）量測系統， 提供大量元件上、跨晶圓和穿透多層結構進行圖形量測與控制的新攻 略。應材指出，當今尖端的晶片需要嶄新的量測方法，已超越光學式 量測、採樣統計和單層製程控制的限制，新推出的PROVision 3E系統 提供對最先進晶片進行準確的圖形製作所需的數百萬個資料點，已有 30套系統獲晶圓代工廠及記憶體廠採用。
先進晶片是一層一層建構起來的，其過程中數十億個結構的每一個 都必須被完美地圖案化（patterned）和對準，才能製造出具有最佳 電性的電晶體和互連架構。但隨著業界普遍從簡單的2D設計轉向更進 階的多重成像和3D設計，如要完成晶片的每個關鍵層（critical la yer），實現最佳的晶片效能、功率、單位面積成本、上市時間（PP ACt），就需要突破的量測技術。
傳統圖形控制是利用光學疊對（overlay）量測機台來實現，這些 機台可以量測替代目標（proxy target）來協助裸晶（die）圖案對 準，在裸晶分割過程中，印在裸晶切割道上的替代目標會從晶圓上移 除。替代目標近似法，還包括在整個晶圓量測少量裸晶圖案的方式獲 取採樣統計。
然而，經過連續幾代的尺寸微縮、多重圖案化的廣泛採用、以及導 致層間失真（interlayer distortion）的3D設計引進後，傳統方法 會造成量測缺陷（即盲點），使工程師更難將預期圖案與晶片上的結 果作相互關聯。
新的電子束系統技術，可以高速穿透晶片多層結構並直接量測整個 晶圓半導體元件的結構，所以客戶開始採用以大數據為基礎的圖形控 制攻略。應用材料最新的電子束量測創新技術PROVision 3E系統就是 針對這種新攻略特別設計。
應用材料影像與製程控制事業部副總裁暨總經理基思．威爾斯（K eith Wells）表示，PROVision 3E系統具備的解析度和速度，能夠超 越光學量測的盲點，並對整個晶圓和晶片的多層結構之間執行準確的 測量。同時晶片製造商還能藉此獲得必要的多維度資料，用以改善P PAC並加快新製程技術和晶片上市時間。
PROVision 3E系統具備的技術，能夠對當今最先進設計的晶片進行 圖形控制，包括3奈米晶圓代工邏輯晶片、環繞閘極（GAA）架構電晶 體和下一代DRAM和3D NAND。
<摘錄工商>
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