常憶科技（3408）29日登興櫃交易。編碼型快閃記憶體〈NOR Flash〉矽智財〈IP〉廠常憶科技，主要產品為4Mb以下的低密度NOR Flash產品，以低成本的P-channel Flash為主，同時提供Standalone〈pFlash〉和Embedded〈pFusion〉Flash授權，毛利率表現遠遠優於同業。

在同業競爭的優勢上，常億0.18微米的pFusion刷寫次數可高達2千次，並擁有2毫秒的刷寫速度技術，功耗上也僅只有150微安，在業界平均不良率200ppm中，常憶的不良率在2010年已突破到0.4ppm，品質遠遠領先同業。

常憶科技的研發團隊來自美國矽谷，深耕NOR Flash領域已超過十年，奠定了低成本與高技術的基礎，未來在快閃記憶體將廣泛使用，看準智慧型手機將成為未來通訊的主流，常憶將應用也從PC周邊開始跨足手機通訊市場。

常憶科技總經理王筱瑜很有信心的道出短期規畫目標，將利用低成本的0.18微米優勢產品，要擴大市占率，並打開歐美日市場，開發IDM客戶，並在2011年導入0.13微米以及90奈米製程製程，全面擴大供給面和市場應用上，並很有信心的表示產業成長要達20%以上。

在深深影響景氣的車用市場上，常憶已研發出65奈米的pFusion，目標在2012年量產導入微電腦控制器MCU車用規格上，將增加晶圓廠合作夥伴，要成為全球唯一全方位的的pFusion設計及服務公司。（沈安玨）

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