常憶科技日前宣布其有高度成本效益及可靠度的0.18um pFusion嵌
入式快閃記憶解決方案的技術，已於其合作晶圓廠成功導入量產
。此0.18um pFusion技術為邏輯相容製程，並幾乎已達一般邏輯製
程的良率水準。

藉由PMOS band-to-band-tunnel(BTBT)專利的製程結構，0.18um
pFusion 在-40度C至105度C可確保在經過10萬次擦寫後仍可保存資
料長達20年。相較業界普遍使用的其他技術，embedded Flash面積
約可縮小百分之40，並降低使用功率以及靜態電流。

過去十八個月來，各種不同規格的0.18um的IP功能已完成驗證，
pFusion 解決方案的降低成本及良好的性能已成功吸引超過40家客
戶使用了0.18um pFusion技術，應用於MCU, smart card, wireless,
and SIM card等產品上。常憶科技pFusion事業處總經理張有志指
出，優良的可靠性及出貨品質幫助我們的客戶超越其他同業，而
且出貨量也已超過5萬片8吋晶圓。」中芯國際資深副總裁兼首席
商務官季克非也指出，該公司的ASIC客戶對於常憶科技針對
pFusion 方案所提供高品質及低成本的測試服務非常滿意。

常憶科技提供客製化全方位0.18um pFusion的功能設計服務及測試
服務，每一個IP均內含專利的測試方案的功能，將可使測試時間
縮短至最短，並確保客戶的產品可達到最好及最可靠的品質。
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