全球首座專業生產6吋砷化鎵微波磊晶片(GaAs MMIC)晶圓的穩懋半導體，在歷經二個月的生產設備及製程測試後，於昨(15)日宣布已成功產出全亞洲的第一片6吋2微米磷化銦鎵異質介面雙極性電晶體(InGaP HBT) MMIC 晶圓。預計於明(90)年第一季開始量產，在91年年產能達到3.6萬片晶圓，待晶圓一廠全面量產後，預估年產能可擴增達10萬片。穩懋除在 HBT 製程有階段性的成果外，在砷化銦鎵應變式高電子遷移率電晶體(pHEMT)產品的製程技術也在試產階段，預計在月底前會有所成績。

　穩懋半導體甫於去(88)年11月成立，實收資本額18億元，目前正在辦理現金增資作業，預計年底前增資至21億元，並於明(90)年起申請輔導上市(櫃)。

　公司總經理吳展興表示，砷化鎵積體電路特有的高頻特性及應用為一般矽鍺(SiGe)所無法取代，由於量產技術的門檻較高，且良率提升不易，全球現有的6吋廠都處於萌芽階段，僅有位於美國的Anadigics、 Motorola、 Lockheed-Martin Sanders，以及歐洲的 Infineon、Filtronic 等公司，但大都處於建廠裝機及試產階段，但真正進入量產的則非常少。穩懋以先進的技術建立6吋晶圓代工服務的能力，將可達到降低成本、增加產能、縮短製造工時，積極搶佔目前市場規模達20億美元，且每年成長幅度逾30%的砷化鎵市場。

　其中 HBT 主要應用於高階個人通訊服務(PCS)如大哥大，廣範應用於低頻的無線產品如雙向呼叫器、無線區域性網絡(WLAN)，另外也包括光纖高速IC的產品。而 pHEMT 可應用於快速成長中的點對多點區域性分佈服務(LMDS)、衛星通訊(SATCOM and VSAT)、汽車業的感應系統(防撞)和點對點基地台的聯繫，也可應用於光纖電子業、固網通訊及特低干擾 CATV 調頻系統。穩懋估計在未來三、四年內，全球每年將需要超過100萬片以上6吋高效能的 MMIC 晶圓產能。
(經濟日報 23版) (電子時報 19版)