隨著數據資料產生速度不斷地加快以及標準型記憶體製程微縮已逼近極限，全球半導體三大巨擘均正積極發展新世代記憶體「MRAM（MagnetoresistiveRandomAccessMemory，磁阻式隨機存取記憶體）」與「RRAM（Resistiverandom-accessmemory，可變電阻式記憶體）」。台灣唯一深耕於開發記憶體測試與修復技術的厚翼科技（簡稱HOY）產品「記憶體測試電路開發環境-BRAINS」針對MRAM和RRAM記憶體的行為及特性，開發出相對的測試演算法，可以有效測出寫入干擾錯誤。

　　新世代記憶體中MRAM壽命長、面積小、反應速度快，被認為很有可能取代DRAM和SRAM的新世代記憶體；而RRAM面積小、反應速度也快，被認為最有可能取代Flash的硬碟技術。在製程逼近極限的狀況下，這兩種新世代記憶體皆具有非揮發性記憶體技術，且兼具高效能及低耗電之特性，並符合AI人工智慧、高階智慧型手機、物聯網和無人車等許多高階應用對高速演算的需求。

　　厚翼科技「記憶體測試電路開發環境-BRAINS」針對MRAM和RRAM特性開發出相對之測試演算法供使用者選擇，增強對於MRAM/RRAM的測試，並完善使用者自定義演算法（ProgrammableAlgorithm）的功能，一來強化了使用上的彈性，二來也讓使用者能藉由自定義連續Write動作來設計更適合自己所使用的MRAM/RRAM規格的演算法。厚翼科技一直以來除了不斷的創新與增強產品功能以及即時的客戶支持，現更成功躋身MRAM/RRAMM市場，領導業界邁入AI產業。<摘錄工商>