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現貨價創波段新高 DRAM、Flash合約價喊漲
2009/4/15

記憶體大廠持續減產,加上市場需求逐漸增溫,DRAM、Flash(
快閃記憶體)現貨價昨(14)日同步上漲,且均創下近月來波段
新高;業界預期,近日將開出的合約價將受激勵上揚,有助減緩
國內DRAM廠現金流出速度,模組廠的庫存回沖利益也持續攀升


根據集邦科技交易網站上的最新報價,DRAM主流規格DDR2 1GB
ett(有效測試顆粒)現貨價,每顆價格回升至1.06美元、DDR2
512MB ett顆粒價亦站回0.46美元;三星Flash記憶體32GB MLC(多
層單元規格)價格也分別漲到8.71美元,創近月新高。

DRAM業者表示,國內外DRAM廠持續減產,市場先前庫存大減,
且近期亞太地區市場需求強勁,通路商、系統商為免下半年旺季
供貨時斷炊,近期逐漸增備庫存,帶動現貨行情走高。

在國內廠家,力晶(5346)、南科(2408)、華亞科(3474)、
茂德(5387)目前仍處於減產狀態,力晶、茂德減產幅度超過五
成,南科、華亞科估計減產約二成。

國外廠商方面,包括南韓三星(Samsung)與海力士(Hynix)、
日本爾必達(Elpida)、美國美光(Micron)等,在不堪長期虧損
、現金流出下,目前平均減產一到二成。

中國大陸的家電、PC下鄉政策,帶動亞太地區對記憶體需求轉強
,激勵現貨價格近期向上走揚,系統廠也擴大備貨下單,帶動合
約價格開始上調,海力士、南科等合約大廠,目前傳出下旬合約
價仍有調升空間。

<摘錄經濟>
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