DRAM現貨價昨（16）日再度大漲6%，均價站上具指標性的1.2美
元，已達韓國三星、台灣力晶（5346）與瑞晶等大廠的現金成本
附近，一旦現貨價站穩這個關卡，意味著業者已逐步邁入現金流
入的狀況，營運出現轉機。
這已是現貨價連續三天大漲，累計漲幅逾15%，並創2月上旬來
新高。DRAM現貨價格大漲，也讓市場買氣再度回籠。南科（
2408）發言人白培霖透露，昨天客戶突然蜂擁而至，好一段時間
未曾出現過的「追單」狀況再度上演，市況突然間活絡了起來。
根據集邦科技（DRAMeXchange）昨天晚間最新報價，1Gb DDRII
有效測試顆粒（eTT）再度勁揚6%，均價為1.2美元；品牌顆粒報
價漲幅更勝於有效測試顆粒，漲幅超過7%以上。
白培霖分析，這波市場需求回籠，主要仍是減產效應及業界擔心
拿不到貨的預期心理，並促成價格大漲。
白培霖說，南科已在本月上旬調漲所有客戶合約價，以目前現貨
價持續上漲的態勢來看，本月下旬合約價仍會上漲，預期漲幅在
一成以上，伴隨減產效應及需求回穩下，今年有機會持續上調。
受惠價格大漲，DRAM族群昨天也強勢表態，上游晶片廠力晶、
南科（2408）、華亞科（3474）、華邦電（2342），以及下游模
組廠威剛（3260）、勁永（6145）等，都以漲停板收市。
集邦科技表示，今年全球DRAM產業資本支出約54億美元，年減
56%，新增產能得以受到控制，伴隨業者陸續轉進50奈米製程生
產，有助大幅降低成本。
DRAM業界表示，中國大陸家電、PC下鄉，帶動亞太地區記憶體
需求加溫，加上國內外DRAM廠持續減產，先前庫存又快速消化
，導致近期價格上漲，這波漲勢可說是「天時、地利、人和」，
不排除續挑戰1.5美元。
<摘錄經濟>
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