力晶（5346）昨（11）日宣布，正式量產40奈米DDR3 2Gb顆
粒，加上從瑞晶方面取得的產能，今年首季力晶DDR3 2Gb顆粒將
大量交貨，較原訂時程提前一季，在製程順利推進之下，力晶、
瑞晶（4932）成為台灣量產40奈米顆粒的第一領先群，下半年全
面轉進40奈米世代，並在第4季試投30奈米。

　力晶董事長黃崇仁表示，雖在去年第4季才導入浸潤式曝光機
，但試產40奈米製程技術進展十分順利，由於良率爬升快速，公
司已決定大量投片生產40奈米2Gb DRAM，並繼續在本季引進浸潤
式曝光機，擴大40奈米產能，逐季增加2Gb DDR3 DRAM出貨，下
半年將全面轉進40奈米世代，並於第4季投入30奈米製程。

　黃崇仁也表示，從1月起，力晶開始依協議向瑞晶採購2Gb
DDR3 DRAM，將可有效滿足主力客戶的2Gb產品需求，力晶的
DRAM業務在本季將可加速跨入2Gb主流市場，依供需狀況研判，
DRAM市場將在第1季落底，未來景氣可望隨下游需求回升而加
溫。

　在力晶正式跨足40奈米世代之下，台系DRAM廠的製程加速
升級，南科、華亞科順利轉進50奈米製程，目前南科投片量每月
5萬片，華亞科每月13萬片，生產良率貼近美光的良率。

　力晶雖然轉進速度較慢，但卻從63奈米跳攻45奈米，遽聞初
期良率約70％至80％，經過一段學習曲線之後，力晶才決定大量
投片量產，較原訂時間提前1季。

　根據集邦科技報價，DDR3 1Gb有效測試顆粒價格不到1美元
，僅0.84美元，已經瀕臨材料成本，但是DDR3 2Gb顆粒還有1.62
美元，品牌顆粒則還有1.82美元，引導各家DRAM廠競相轉進2Gb
產品。

<摘錄工商>