DRAM廠力晶昨（20）日董事會，通過明年資本支出暫定為160億元，比今年的200億元減少約兩成，將用以提升40奈米世代製程。
配合資金需求，力晶董事會也決議將重新申請發行海外存託憑證（GDR）。力晶先前提出發行上限8億股GDR，遭主管機關退件。力晶表示，這次重新申請額度仍維持上限8億股。
力晶是第一家公布明年資本支出的本土DRAM廠。力晶董事長黃崇仁表示，今年資本支出已陸續添購45奈米所需的浸潤式機台等設備，明年160億元規劃，除持續添購浸潤式機台外，還會買一些周邊設備。
由於今年已投入大部分資金買設備，力晶明年資本支出更為精簡，未來並打算將部分既有機台出售給設備商，再採「售後租回」方式，達成資產活化運用，增加現金流量。
力晶第三季持續獲利，不加計子公子瑞晶轉投資收益下，單季毛利與毛利率分別為43.42億元與17.35%，營業淨利率12.89%。稅後純益19.36億元，每股純益0.34元。前三季稅後純益122.39億元，每股純益2.22元。
力晶現在12吋晶圓月產能為13萬片，分為標準型記憶體與代工兩大業務。力晶規劃要把當中8萬片拿來生產標準型記憶體，其餘5萬片做代工，並逐步將代工比重增加到四成，是日後重要收益來源。
<摘錄經濟>
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