DRAM廠瑞晶電子(4932)昨(13)日召開董事會，通過追加今年資本支出8億元，讓今年資本支出預算達到128億元新高，瑞晶明年沒有興建新廠計劃，所以明年資本支出較今年大幅減少，初步規劃將達3 0億至40億元，主要用來進行製程微縮至30奈米的資金需求。
瑞晶大股東之一的力晶科技(5346)，今年資本支出仍維持100億元，並未隨著瑞晶腳步增加預算，明年資本支出預計將達60億元。至於南科及華亞科則表示，明年資本支出預算仍在規劃中，現在沒有確切數字可以公佈。
由於近來DRAM價格持續重挫走跌，DRAM廠虧損壓力大增，為了加速製程微縮降低單位生產成本，瑞晶才會決定追加預算。瑞晶指出，中科廠兩座12吋廠每月產能超過8萬片，已有7成轉換至45奈米製程，年底前可望完成100％的產能轉換，由於先前規劃的120億元資本支出已花費差不多，才會追加8億元預算。
瑞晶明年沒有興建新廠計劃，因此位元成長率將完全視製程轉換而定，瑞晶預估明年資本支出將介於30億至40億元之間，主要是用來將主流製程微縮到更小的30奈米世代，預計明年第1季就可開始導入，而在爾必達的協助下，瑞晶計劃明年下半年時，有一半以上產能就能夠以30奈米投片生產。
瑞晶今年因45奈米微縮順利，雖然DRAM價格一路走跌，但前3季仍賺進143.96億元，每股淨利達4.89元，是國內最賺錢的DRAM廠。
第4季DRAM價格直直落，瑞晶11月營收26.18億元，較10月衰退將近 24％，但瑞晶仍不鬆口是否可能出現虧損，只表示會全力進行製程微縮，維持最佳競爭力及台灣最低DRAM單位製造成本優勢。
<摘錄工商>
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