力晶（5346）爾必達（Elpida）合資設立的瑞晶（4932）昨（18）日宣布，完成30奈米2Gb DDR3晶片試產，單位產出可增加四成，成本大降。瑞晶也是台灣第一家完成30奈米試產的DRAM廠。
除瑞晶積極跨入30奈米試產之外，力晶、南科、華亞科也積極投入相關布局。南科、華亞科預計今年中開始導入30奈米世代技術，雖然比瑞晶稍慢，但南科與華亞科將跳過2Gb DDR3，直接用此技術生產利潤更高的4Gb DDR3晶片。
隨著瑞晶、南科等將陸續開始導入30奈米世代技術試產，意味台灣DRAM廠也將邁入新一波技術競爭潮。
瑞晶總經理陳正坤表示，此次30奈米製程試產，不論品質、良率均相當令人滿意，繼續加速進行製程轉換，希望能在2011年下半年，將月產能8.5萬片的全產線完全轉至30奈米生產。
瑞晶30奈米技術主要來自母公司爾必達，初期將生產2Gb DDR3晶片，除鎖定個人電腦（PC）應用外，也可用於消費性電子，瑞晶未來也將用此技術，生產4Gb DDR3晶片。
陳正坤指出，試產成功的30奈米2Gb DDR3晶片，每單位晶圓產出量比現有40奈米製程多45%，可有效降低生產成本，並具低電壓特性，可提升系統產品運作表現。
DRAM族群昨天走勢普遍疲弱，力晶、南科、華亞科跌幅都超過1%，茂德（5387）更重挫跌停板；僅爾必達（916665）收紅上漲0.2元，收盤價20.5元。
<摘錄經濟>
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