力晶、瑞晶昨（31）日公布去年稅後淨損各為221.28億、62.52億元，分創歷來虧損次高與新高。加計南科、華亞科、茂德，台灣五家DRAM廠去年虧損總額恐逾千億元，是歷來最差。力晶、瑞晶營運不振，兩家公司今年資本支出大幅縮水，由過往全盛期動輒上百億元，降到數億至10餘億元，主要作為製程微縮費用，不再擴產。
法人分析，DRAM價格不振，加上平板電腦等行動裝置蓬勃發展，壓縮市場成長，造成台灣DRAM廠去年創下「史上最大虧損」。近期各大廠紛紛轉型，加上美光傳出有意入股爾必達，有望促成新一波整合，降低台廠失血程度。
力晶去年第四季稅後淨損88.68億元，每股淨損1.61億；全年稅後淨損221.28億元，每股淨損4元。力晶表示，去年第四季虧損擴大，主因DRAM價格低迷、提列減產閒置產能損失及認列瑞晶轉投資虧損。
力晶強調，專注轉型目標不變，全力衝刺自有產品與晶圓代工業務，非標準型DRAM營收比重已超過六成；旗下自有品牌儲存型快閃記憶體（NAND Flash）與晶圓代工產品的單月投片量挑戰6萬片，可大幅降低DRAM價格波動風險。
力晶指出，現階段產能利用率已大幅提高，業績可望在第一季後半開始升溫，30奈米4Gb DRAM製程預計第二季量產，進一步優化成本競爭優勢，改善財務結構。
瑞晶是台灣產線最新、技術最先進DRAM廠，去年上半年仍處於獲利，難逃市場低迷衝擊，去年8月起轉為虧損，去年稅後淨損62.52億元，每股淨損2.12元。
瑞晶已全數轉進30奈米製程生產，初期以2Gb DDR3晶片為主，將擴大4Gb容量比重，希望藉技術提昇降低成本，走出虧損陰霾。瑞晶強調，去年營業淨現金流入149.15億元，截至去年底帳上現金及約當現金達57.71億元，足以因應營運所需。
南科、華亞科日前公布去年稅後淨損計達608.83億元，加上瑞晶、力晶虧損金額，這四家DRAM廠去年虧損計達892.63億元。法人估計，若加計財報仍「難產」的茂德，台灣五家DRAM廠去年總虧損恐逾千億元，比金融海嘯還糟。<擷錄經濟>
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