研究機構集邦科技旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange分析，201 3年是對DRAM產業具關鍵性的一年，產業結構改變，寡占市場的格局形成，都將為2014年DRAM產業帶來新的契機，預估2014年的DRAM產值將達395億美元，年成長率為12％，將是自2009年金融風暴以來，供應商在生產方面最有秩序的一年。

　　2013年DRAM產業出現極大變化，除了美光正式合併日本DRAM廠爾必達，DRAM市場變成三星、SK海力士、美光等三強鼎立局面外，受惠於智慧型手機與平板電腦的熱銷，一線DRAM大廠紛紛轉進行動式記憶體 Mobile DRAM，導致標準型DRAM產出逐漸減少。再者，SK海力士無錫廠9月初大火，讓4GB模組合約均價由17美元上漲至今33美元，漲幅逼近一倍，各DRAM廠朝向全面獲利的狀態。

　　放眼2014年，由於進入20奈米製程後開發難度變高，產出位元年成長率(bit growth)趨緩，因此平均銷售單價將隨成本結構改善而逐步下降，各家DRAM廠不再追求製程上的極致，策略轉向更靈活調配產品與產能，2014年DRAM市場營收預估續成長12％，為金融風暴後連續第2年成長，在價格走勢上將更傾向穩健的寡占市場格局，持續獲利的趨勢將延續至2014年。

　　集邦也預估，2014年Mobile DRAM將占全球市場的36％，首度超越標準型DRAM的30％，躍升成為全球DRAM市場主流產品。再者，由Mob ile DRAM做觀察，2014年LPDDR3的比重將在智慧型手機與平板電腦快速增加，更將進軍高階Ultrabook等輕薄NB市場，省電機制優於一般傳統DDR3，預估LPDDR3產出量預計在2014年下半年將超越LPDDR2，成為行動式記憶體主流規格。

　　今年下半年各DRAM廠轉進20奈米世代製程都遇到困難，受到物理條件限制，即使如三星或是SK海力士都曾面臨到良率無法有效提升或是量產計畫遞延的窘境。進入25奈米以下製程，由於需要購入極紫外光 (EUV)機台，但目前EUV機台的開發尚未達到可大量生產的階段，D RAM廠對於25奈米製程以下至今未有明確的時間點規劃。<擷錄工商>