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DRAM再向上 季漲幅4%起跳
2016/7/12

  受到三星、SK 海力士、美光等三大DRAM廠持續進行產品組合調整影響,DRAM市場供貨轉趨吃緊,繼6月合約價持平開出後,正在協商中的7月合約價可望順利調漲。由於部分系統業者無法向三大廠取得足夠貨源,近期開始轉向南亞科(2408)及華邦電(2344)採購,在第3季DRAM供不應求的預期下,第3季合約價亦順利調漲3∼5%。

  下半年進入智慧型手機銷售旺季,由於蘋果iPhone 7的搭載容量傳出將拉高至3GB,Android陣營高階智慧型手機搭載量也上看6GB,三大DRAM廠第2季開始大動作調整產品組合,將標準型及利基型DRAM產能大舉調撥至生產Mobile DRAM,不僅成功大量去化DRAM過剩產能,也讓標準型及利基型DRAM供貨吃緊,合約價已成功止跌。

  集邦科技旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示,DRAM合約價經過近2年的續跌,6月合約價已呈現持平,4GB DDR3模組普遍用12.5美元價格議定完成。由於原廠端供貨吃緊,一線OEM廠於6月提前與DRAM廠洽談第3季合約價格,預估第3季DRAM合約價上漲趨勢確立,漲幅約達4∼8%。

  吳雅婷表示,今年上半年標準型DRAM需求不振,搭載量受制於Windows 10的授權金制度而無法有效上升,價格逐步往成本貼近,使得韓系DRAM廠在第2季陸續調降標準型DRAM的產品比重。所幸全球智慧型手機的記憶體搭載量今年成長率仍高達36%,下半年旗艦機種搭載量上看6GB,伺服器DRAM今年平均搭載量也上看110GB,年成長25%,將有效消化產品比重調整下多出來的產能。

  再者,今年下半年NAND Flash明顯缺貨,三大廠也將部分DRAM產能移轉生產NAND Flash,而日前大陸西安變電站爆炸,三星西安廠的意外跳電讓記憶體模組廠於當天停止DRAM與NAND Flash供貨,多重因素引爆DRAM現貨市場價格全面上漲,一掃過去一路走跌的陰霾。

  在標準型DRAM供不應求之際,利基型DRAM也出現供貨不足情況。事實上,三大廠淡出2Gb以下低容量利基型DRAM市場,在Mobile DRAM產品組合中也大舉撤出LPDDR2市場,並全面降低LPDDR3供貨量。也因此,大陸多數系統廠無法取得足夠DRAM貨源因應下半年旺季需求,已轉向南亞科、華邦電等台灣業者採購,既然DRAM市場已是供不應求,第3季合約價也順利調漲。<摘錄工商>
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