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明年仍缺貨 記憶體報價可望走揚
2016/12/22

  市調機構集邦科技旗下記憶體儲存研究事業部(DRAMeXchange)最新研究報告顯示,2017年NAND Flash整體投片產能僅年增6%,隨著業者加速轉進3D NAND,2017年2D NAND缺貨情況將持續一整年,而3D NAND在64層堆疊順利導入OEM系統產品前,也將持續缺貨,價格有望穩健走揚,使NAND Flash原廠營運表現持續往上。

  第4季各項終端設備出貨進入今年最高峰,預估整體NAND Flash供不應求的市況將更為顯著,各項NAND Flash產品的合約價漲幅將更高,廠商的營收與營業利益率也可望再創今年新高。集邦已公告11月NAND Flash合約價亦呈現漲勢,其中64Gb MLC NAND合約均價較10月上漲1.5%達2.63美元,128Gb MLC NAND合約均價上漲3.3%達4.11美元,均創下一年來新高價。

  DRAMeXchange研究協理楊文得表示,在今年新增產能及製程轉換同時進行的情況下,業者自第2季起加速3D NAND的製程轉進,整體3D NAND產出比重在年底前達到30%,而自明年起在整體投片產能僅年增6%的成長幅度下,多數業者將開始降低2D NAND的供貨來達到提升3D NAND產能的目標。

  因此,DRAMeXchange預估,自2017年第1季起2D NAND的供給量滑落的速度將加快,至第3季占整體NAND Flash出貨比重將滑落至50%以下。

  然而,在3D NAND的進展上,64層堆疊的3D NAND在良率與eMMC/UFS、用戶級固態硬碟(SSD)、企業級SSD等OEM產品的導入上,挑戰性皆增加,因此明年3D NAND在64層堆疊的產品成熟前也將維持供應吃緊的狀況,最快要到2017年第3季起才有機會成熟量產出貨。

  從需求端來看,由於智慧型手機成長放緩、平板電腦出貨持續衰退,相關行動式NAND Flash的需求成長動能將改由平均搭載量(Content per box)來驅動,而在新款iPhone出貨主流為128GB下,其他智慧型手機品牌也加速提升eMMC/UFS的容量來提高產品競爭力。

  DRAMeXchange預估,2017年第4季全球筆電出貨的SSD滲透率將超越50%,且企業級SSD的需求也隨著伺服器及資料中心的需求強勁成長而快速上揚,再加上SSD的平均搭載量也持續增加,使得2017年整體SSD需求成長率將高達60%,所消耗的NAND Flash比重也將正式站上40%大關,為各項NAND Flash終端需求中表現最強勁的應用。<摘錄工商>
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