DRAM缺貨將持續蔓延，繼三星18奈米轉換不順，回收模組產品後，近期也傳出美光17奈米製程也不順，恐導致下季供需缺口持續擴大，價格持續看漲，連帶也讓儲存型快閃記憶體（NAND Flash）、編碼型快閃記憶體（NOR Flash ）產能同步受到壓縮。

　　記憶體業者表示，台廠擁有生產線的南亞科（2408）、華邦電、旺宏，及模組廠的威剛、創見等，將同步受惠，尤其NOR缺口持續擴大，讓NOR晶片雙雄成為市場爭相包產能的對象。

　　根據集邦調查，因近年來因DRAM無新增產區，廠商多仰賴製程推進帶動產出位元成長，但整體產能增加有限，加上部分標準型DRAM產能不斷被轉為生產伺服器與手機DRAM用，導致標準型DRAM供需由昔日供給過剩，轉為供不應求。集邦統計，標準型DRAM去年下半年以來漲幅已近60%，光是首季漲幅即逾30%，帶動相關伺服器用、行動式和利基型DRAM等也同步上漲，漲幅在10%~30%不等。

　　儘管三星宣布決定增產DRAM，但因新產能至少要二年後才會投入，但稍早三星發生18奈米製程出包，緊急召回10萬條DRAM模組，已沖淡三星增產衝擊。

　　但近期稍後也傳出美光自25奈米轉換到17奈米，同樣發生製程轉換不順問題，不過美光昨天表示1x奈米產品本來就計畫第3季小量產出，第4季才會放量，進度可能和分析師預期有出入。

　　但法人認為，三星和美光在競逐更先進DRAM製程都遭遇難度增加現象，讓市場原本擔心的價格反轉疑慮消除，預料第2季漲勢仍會明顯，下半年依舊缺貨，價格仍看漲。
　
　　業者表示，DRAM漲勢延續，也會進一步壓縮NOR晶片產出更為吃緊，原擔心的20%供應缺口可能還會擴大，讓台廠坐擁NOR供應首位的旺宏和第四的華邦電成為大贏家。<摘錄經濟>