記憶體大廠美光科技（Micron）昨（27）日召開2017年會計年度第 4季（2017年6月至8月）法說會，非一般公認會計準財（Non-GAAP） 每股稀釋盈餘2.02美元，優於市場預期，美光在台灣時間27日晚上開 盤後，截至11點為止大漲了7.9％。
美光執行長Sanjay Mehrotra在法說會中亦明白表示，今年底前DR AM及NAND Flash都將呈現供不應求的缺貨狀態。
受惠於DRAM及NAND Flash價量齊揚，美光2017年會計年度第4季的 Non-GAAP財報大幅超標，營收季增10％達61.38億美元，較去年同期 大增約91％，平均毛利率衝上51％，稅後淨利季增26％達23.86億美 元，與去年同期虧損情況相較不僅由虧轉盈，獲利還大幅超越市場預 期，單季每股稀釋盈餘2.02美元。
美光對於2018年會計年度第1季（2017年9月至11月）的展望同樣明 顯優於市場預期。營收預估介於61∼65億美元之間，優於市場普遍預 估的60.6億美元，平均毛利率介於50∼54％，營業利益預估介於26. 5∼28.5億美元之間，每股稀釋盈餘預估介於2.09∼2.23美元之間， 優於市場普遍預估的1.85美元。
美光執行長Sanjay Mehrotra在法說會中表示，美光1x奈米DRAM、 64層3D NAND的生產計畫順利進行，預估今年底前良率可達成熟穩定 階段。由產業來看，今年DRAM市場位元成長率僅20％，NAND Flash位 元成長率僅30∼40％之間，均低於市場需求成長幅度，所以預期至今 年底前，DRAM及NAND Flash都將供不應求，而且良性的產業基本面會 延續到明年。
Sanjay Mehrotra也對2018年記憶體市場提出看法，其中DRAM產業 位元成長率仍然只在20％左右，在雲端運算等需求維持強勁情況下， 將維持健康的供需平衡狀態。至於NAND Flash在各家業者的3D NAND 產能陸續開出下，位元成長率將提升到50％左右，可望滿足目前的市 場供給缺口。
市調DRAMeXchange昨日表示，2017年NAND Flash產業需求受到智慧 型手機搭載容量與伺服器需求的帶動，加上供給面受到製程轉進進度 不如預期的影響下，供不應求的狀況自2016年第3季起已持續6個季度 。2018年NAND Flash位元供給端將增加42.9％，需求端將成長37.7％ ，整體供需狀況將由2017年的供不應求轉為供需平衡。
<摘錄工商>
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