記憶體指標大廠三星和美光釋出今年記憶體市況分析，儲存型快閃記憶體（NAND Flash）和DRAM市況不同調 。
三星和美光同指本季NAND價格持續下探，但DRAM價格在伺服器及行動裝置、車用等應用多元下，價格將持穩到年底，對南亞科（2408）等台廠有利。
全球記憶體龍頭三星半導體事業部日前在提出第2季展望時指出，記憶體事業可望在第2季維持強勢表現，不過，本季NAND報價將呈現疲軟，但伺服器、行動DRAM需求將會續強，且主流高容量DRAM訂單也將會走高。
三星在全球NAND Flash和DRAM市占率都居領先地位，其中DRAM市占率達49%，具有價格主導地位，三星看淡NAND Flash價格走勢，也反應NAND Flash隨各家3D NAND轉換製程良率提升、產量提升，價格也陷入向下修正的壓力；DRAM則因供需仍未失衡 ，且應用多元化，本季價格可望持續維持上漲。
記憶體大廠美光科技全球製造資深副總裁艾倫（Wayne Allan）則認為，受惠企業級線上交易、自駕車、雲端大數據、網通、行動裝置、物聯網等六大領域對記憶體需求強勁，但供給端增幅有限，今年記憶體市況仍會健康穩健，其中DRAM價格可持穩到年底。
美光預估今年全球記憶體，DRAM年產量約增20%，NAND Flash產能約增45%。
艾倫強調，美光今年在NAND Flash產能年增率將超過45%，高於產業平均數，凸顯美光也是持續拉升NAND Flash產出。
快閃記憶體控制晶片大廠慧榮總經理苟嘉章則分析，今年上半年快閃記憶體供過於求壓力大，本季跌勢將擴大，不過隨主要品牌手機廠下半年推出新機，增加快閃記憶體搭載量，第3季價格可望止跌。
但他強調， 國際大廠如三星、SK海力士、東芝及威騰（WD）、英特爾及美光等全力擴充產能，今年底96層或QLC規格3D NAND產能將大量開出，上半年價格壓力較大，明年加上中國大陸紫光集團旗下長的長江存儲產出開出，供給量更大，恐再加重明年NAND Flash跌勢。<摘錄經濟>
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