記憶體大廠美光科技（Micron）全力追趕三星，昨（27）日宣布成功以先進的1z製程產出16Gb DDR4 DRAM，並計劃導入台灣量產，搶攻進入第五代行動通訊（5G），智慧裝置對高頻寬及更快速處理的下世代記憶體商機。
美光表示，和上一代1y 奈米製程相比，1z奈米16Gb DDR4 DRAM大幅提高位元密度、增進效能並降低成本， 也大幅提升在運算用DRAM（DDR4）、行動式DRAM（LPDDR4）和圖形 DRAM（GDDR6）等產品系列的效能和功耗，有利助長AI、自動駕駛車輛、5G、行動裝置、圖形、遊戲、網路基礎設施和伺服器等各領域應用，並加速市場發展。據了解，美光已在日本廣島完成16Gb DDR4 DRAM試產，在良率達到量產階段，就會導入台灣量產。
<摘錄經濟>
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