面對全球記憶體市場供過於求及價格下跌壓力，美國記憶體大廠美光（Micron）去年啟動的現有廠區擴建工程仍持續進行，繼今年6月日本廣島12吋DRAM廠完成了B2樓的擴建工程後，8月也完成了新加坡NAND卓越中心Fab10A擴建工程，至於台灣DRAM卓越中心的台中廠A3廠擴建工程正在進行，預計明年可望完工並開始生產。
相較於其它記憶體廠的新建晶圓廠來增加產能，美光的產能布局策略有很大的不同。美光今年並沒有真正興建一座新的12吋晶圓廠的計畫，至今為止都是在現有廠區進行擴建，而且，美光也沒有要大舉增加產能，而是將重心著重在製程微縮及精進上，新擴建無塵室主要是用來建置新一代技術所需的設備，補足因製程微縮導致的產能自然減損，讓每個廠區的總投片量維持不變。
在美光日前召開的投資者大會中，美光提及DRAM產業面臨三大挑戰，一是每片晶圓產出位元數維持成長的挑戰，二是技術製程微縮轉換後的製造成本及最終獲利能力的挑戰，三是資本支出會持續增加的挑戰。
美光已經完成1z奈米研發並會開始在日本及台灣廠區導入，之後將開始投入1α、1β、1γ奈米的研發，而在這段技術推進過程中，美光將會持續評估是否採用極紫外光（EUV）技術來降低DRAM生產成本，並強調會在合適時間點採用EUV技術。
在美光的全球布局下，台灣已經是美光最大的DRAM製造重鎮，除了桃園廠及台中廠外，美光已宣布擴建台中A3廠無塵室，在台中廠區自建封測廠也已進入量產。美光現在自有封測產能約可滿足一半產能需求，但美光會彈性維持後段封測自有產能及委外代工的比重。<摘錄工商>
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