記憶體市場供不應求，DRAM及NANDFlash第二季合約價出現明顯漲勢，其中，4月標準型DRAM合約價大漲逾25％，利基型DRAM合約價續漲13∼21％，至於SLCNAND及MLCNAND合約價亦止跌回升5∼10％幅度。

　　法人看好南亞科、華邦電第二季營收及獲利大躍進，但因近期現貨價漲勢停歇，與合約價的溢價差明顯縮小，模組廠第二季獲利成長動能趨緩。

　　根據集邦統計及模組廠消息，4月DRAM及NANDFlash合約價呈現全面上漲走勢。其中，標準型DRAM受惠於新冠肺炎疫情持續推動筆電出貨動能，主流規模8GBDDR4模組合約均價由3月的26.0美元大漲至4月的32.4美元，8GbDDR4顆粒合約均價由3.0美元大漲至3.8美元，單月漲幅高達25∼27％。

　　同樣在宅經濟及伺服器換機需求帶動下，4GbDDR4／DDR3等利基型DRAM顆粒4月合約均價較上月大漲13％，缺貨嚴重的2GbDDR3顆粒合約均價漲幅高達21％，伺服器DRAM合約均價也有約20％漲幅。在NANDFlash部分，受惠於物聯網、工控及安控等應用明顯增溫，4月SLCNAND合約均價普遍上漲5％，MLCNAND合約均價則上漲近10％。

　　包括三星、SK海力士、美光等三大記憶體廠近期召開法說會中，不約而同看好今年DRAM市場，由於數位轉型帶動5G智慧型手機、筆電及平板的強勁銷售動能，加上伺服器升級至英特爾IceLake及超微EPYC3的強勁需求湧現，業者看好今年DRAM全年供不應求，合約價將逐季漲價到年底。

　　集邦先前預估第二季標準型DRAM合約價漲幅將大幅上修至23∼28％，伺服器DRAM上修至20∼25％，由此來看，5月及6月的DRAM合約價仍有續漲空間。至於下半年進入旺季，在供不應求情況下，預期第三季合約價將續漲10∼20％。

　　法人預期在DRAM價格逐季上漲推升下，擁有DRAM晶圓產能的南亞科及華邦電直接受惠。但因現貨價3月中旬以來價格停滯，合約價調漲後的溢價差已明顯縮小，對於以合約價買進DRAM貨源但以現貨價出貨模組的模組廠來說，第二季獲利成長動能恐趨緩。<摘錄工商>