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美晶片法案 升高地緣政治風險
2022/8/2
美國國會上周火速通過晶片法案,並祭出附加限制條款,要求獲得補貼的廠商不得在大陸投資28奈米以下製程技術,對此,科技市調機構集邦科技(TrendForce)昨(1)日認為,相關限制恐導致地緣政治風險升溫,台灣未來仍是先進製程最大生產地,大陸則以成熟製程為主軸。

集邦科技指出,美國參眾議院上周火速通過晶片法案,待總統拜登簽署後即正式生效。該法案草案不僅涵蓋晶圓製造研發與建廠補助、稅務優惠補貼等,也提出附加限制條款,擬針對獲美國補貼的公司,限制獲補助期間不得在大陸投資28奈米以下製程技術,以確保該法案對美國半導體產業競爭力的保護。

集邦科技分析,目前同時於美國、大陸投資擴產或擴廠的半導體公司僅台積電與三星,針對美國晶片法案將如何限制兩家業者在大陸的投資動態,值得關注,目前相關公司在大陸擴產也多為成熟製程。

至於大陸中芯國際2020年被列入美國實體清單,集邦科技認為,中芯在被列入清單前已開始發展深紫外光(DUV)生產7奈米製程技術,估計該製程在美系設備出貨仍受限制之下,要生產更複雜的邏輯晶片難度恐怕相當高,而且產量有限。

另一方面,集邦科技預估,以全球各區域12吋約當產能來看,2025年7奈米以下先進製程產能分布仍以台灣為最大宗、達69%,之後依序為南韓18%、美國12%、大陸1%。相較2022年的格局,顯見美國未來三年將提升先進製程產能占比,大陸則仍以成熟製程為主軸。

集邦科技並指出,過去川普政府曾透過《瓦聖納協議》要求荷蘭停止出口機台至大陸,提高設備對大陸出口的難度,估計美國也將再依循該協議進行遊說,擴大限制範疇至深紫外光設備,並加深對大陸的限制。

若相關遊說成功,集邦預期,不僅影響大陸發展7奈米以下先進製程研發推進的可能性,成熟製程所需的深紫外光設備取得不順,也將影響目前大陸半導體如40奈米及28奈米製程擴產。<摘錄經濟>
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