台系ＤＲＡＭ廠力晶、茂德等２００８年第１季虧損金額恐將首
度超過當季營收，創下半導體產業首例，至於南亞科虧損金額與
營收間差距亦將縮小。半導體業者表示，即便在２００１年全球
ＤＲＡＭ市場非常不景氣時，這種虧損超過營收情況亦未曾發生
，但２００８年第１季對於台系ＤＲＡＭ廠而言，恐將面臨「做
愈多、賠愈多」窘境，ＤＲＡＭ廠營運出現史無前例的慘況。
２００７年第４季包括力晶、茂德及南亞科合計虧損約新台幣
２５０億元，由於產能持續開出，價格又無法提升，各ＤＲＡＭ
廠虧損將持續擴大。記憶體業者指出，２００８年第１季力晶產
出量將伴隨瑞晶Ｒ１廠產能續增，以及本身製程技術轉至７０奈
米，產能增加已難避免；茂德中科廠Ｆａｂ ４產能亦持續開出
，同樣無法避免產能增加；南亞科則在華亞科產能持續轉至７０
奈米製程，以及南亞科１２吋廠產能續增，想看到產能降低是不
可能任務。
值得注意的是，在２００７年１２月時，台ＤＲＡＭ廠單月營收
與虧損金額已相當接近，其中，力晶１２月營收為新台幣４３億
元，與虧損金額相去不遠，預期２００８年第１季將可看見虧損
金額正式超過營收。
至於茂德１２月營收約為２７億元，虧損金額目前初步估算為
２４億∼２５億元，而由於ＤＲＡＭ平均售價未能有效反彈，
２００８年第１季虧損金額可能會持續加大，直逼營收規模；至
於南亞科１２月營收初估約為３１億元，儘管虧損金額還暫不會
超過營收，不過，未來在ＤＲＡＭ售價仍無法改善情況下，虧損
金額勢必將加速追上營收。
<摘錄電子1版>
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