農曆年前回補庫存買盤回流，ＤＲＡＭ顆粒價格自上週五出現反
彈，累計漲幅已逾八％。集邦科技指出，新年開春第一周，
ＤＲＡＭ現貨價維持狹幅整理的格局，並於第二週開始反彈。由
於ＤＲＡＭ報價趨勢已顯示築底完成，ＤＤＲ２　５１２Ｍｂ可
望站上一美元關卡。
　
四大ＤＲＡＭ廠法說會日期相繼定案，下週二（廿二日）南亞科
、華亞科率先登場；茂德、力晶接棒，分別於廿九日、卅日召開
，公布去年自結數字及今年營運規劃。　

ＤＲＡＭ族群昨（十五）日即在現貨反彈、法說行情加溫下，攜
手勁揚，華邦電、華亞科、茂德、創見、勁永及友旺，強勢拉出
半根漲停板。
　
集邦科技指出，品牌顆粒ＤＤＲ２　５１２Ｍｂ均價在去年十一
月廿八日打出第一支腳，接著反彈四．三％，並於十二月十一日
打了第二支腳，形成了一個完整的Ｗ底，從去年年底開始在○．
九二美元至○．九五美元築底。
　
值得注意的是，目前單顆ＤＤＲ２　１Ｇｂ與兩顆５１２Ｍｂ的
價差已低於一％，顯示現貨市場１Ｇｂ的供應量大增。由於單顆
１Ｇｂ至少可節省後段封測的成本○．三美元至○．五美元，相
較於兩顆５１２Ｍｂ成本；ＤＲＡＭ廠加速生產１Ｇｂ將為降低
成本的最迅速方法。
　
集邦科技認為，一月上旬ＤＲＡＭ合約價止跌回穩，接連帶動現
貨市場中的ＤＤＲ２顆粒的價格攀升，加上中國農曆年前市場需
求可望走強，ＤＤＲ２　５１２Ｍｂ品牌顆粒有機會於一月底，
或農曆過年前率先回到一美元以上。
　
此外，一月下旬或二月初ＤＲＡＭ廠將進行歲修計劃，其中，台
系廠茂德將實施歲修長達兩周，降低ＤＲＡＭ三月總產出，加上
ＰＣ銷售在三月預計會微幅向上，有利ＤＤＲ２價格回升一．二
美元。
　
一旦在第二季前，有ＤＲＡＭ廠商正式宣告部份停產或是降低資
本支出，ＤＤＲ２　１Ｇｂ有機會突破二．五美元，ＤＲＡＭ廠
可望告別虧損窘境。
<摘錄工商B3版>