５１２Ｍｂ　ＤＤＲＩＩ品牌顆粒報價勁揚逾４％，有效測試顆
粒衝上０．９６美元，同創近期新高；力晶南科華亞科股價
ｈｉｇｈ翻天。

ＤＲＡＭ記憶體景氣春燕飛來，集邦科技（
ＤＲＡＭｅＸｃｈａｎｇｅ）昨（１７）日晚盤最新ＤＲＡＭ現
貨報價，５１２Ｍｂ　ＤＤＲＩＩ品牌顆粒報價勁揚逾４％，均
價重回暌違三個月的１美元，並激勵有效測試顆粒（ｅＴＴ）均
價衝上０．９６美元，同創近期新高。
　
本土ＤＲＡＭ廠將自下旬起陸續召開法說會並揭露去年第四季與
全年財報，下周二（２２日）南科、華亞科打頭陣，分析師表示
，去年第四季ＤＲＡＭ價格不振，業者財報難看已在預期中，從
近期ＤＲＡＭ報價回穩來看，業者營運可望漸入佳境，法說會上
對於業績展望應該都屬正面解讀。
　
市場原預期ＤＲＡＭ合約價最快要到農曆年前才有機會反彈，但
昨天ＤＲＡＭ現貨價突破１美元，不僅比業界預期來得早，更有
助帶動元月下旬合約價走勢朝正向發展。ＤＲＡＭ族群昨天股價
續表態，力晶、南科、華亞科都以漲停價收盤；茂德則收在最高
價８．６９元，漲幅逾６％。
　
根據集邦報價，５１２Ｍｂ　６６７ＭＨｚ　ＤＤＲＩＩ品牌顆
粒昨天均價站穩１美元關卡，是去年１１月失守１美元後，首度
重回１美元價位，盤中最高價達１．１美元，近一個月來該規格
顆粒均價漲幅已近１０％，價格底部反彈意味濃厚；５１２Ｍｂ　
ＤＤＲＩＩ有效測試顆粒均價同步走揚，均價０．９６美元，也
是近來新高。　

集邦估計，隨ＤＲＡＭ廠在２月陸續進行歲修，減少產出，加上
個人電腦　銷售量可望自３月起走揚，將帶動５１２Ｍｂ顆粒價
格上攻到１至１．２美元。若第二季前，ＤＲＡＭ廠商宣布部分
停產或降低資本支出，則１Ｇｂ　ＤＤＲＩＩ顆粒可望率先起漲
，突破２．５美元，將帶領ＤＲＡＭ廠告別虧損。
　
業者認為，ＤＲＡＭ現貨價波動幅度較大，但一路重挫後，底部
已經成形，反彈是必然趨勢，本月上旬合約價格止跌行情確立，
下旬合約價至少會有持平以上走勢，並維持緩漲格局。
<摘錄經濟A3版>