ＤＲＡＭ記憶體市況淡季穩中帶堅，繼５１２Ｍｂ與１Ｇｂ　
ＤＤＲＩＩ有效測試顆粒（ｅＴＴ）報價分別站穩１美元與２美
元後，昨（１２）日出爐的２月下旬合約價也同步走揚，漲幅在
３％以上，這也是ＤＲＡＭ合約價自去年１２月下旬觸及歷史低
點後，連二個月彈升，象徵ＤＲＡＭ走出谷底，反彈的態勢確立
，有助南科、力晶等晶片製造商走出去年大虧的陰霾。
　
ＤＲＡＭ業者表示，ＤＲＡＭ價格現在只是「暖身小漲」，一旦
業界所有８吋廠因不符效益退出標準型記憶體製造行列，市場將
出現供給缺口；記憶體業者陸續放慢擴產腳步後，第二季起
ＤＲＡＭ價格上漲力道將更強。
　
南科透露，終端市場需求目前並不差，已有客戶陸續來談下半年
訂單，是市況好轉的訊號，下半年更可能出現供給吃緊狀況；隨
微軟新版Ｖｉｓｔａ作業系統刺激每台個人電腦提高ＤＲＡＭ搭
載容量，預期１Ｇｂ　ＤＤＲＩＩ顆粒價格可望回升至２．５至
３美元。
　
不過，ＤＲＡＭ報價雖上揚，卻無助ＤＲＡＭ類股走勢，昨天在
台股大跌中全面走低，茂矽更被殺到跌停板價的１７．８元收盤
。
　
根據集邦科技（ＤＲＡＭｅＸ－ｃｈａｎｇｅ）報價，２月下旬
ＤＲＡＭ合約價持續反彈，５１２Ｍｂ與１Ｇｂ　ＤＤＲＩＩ顆
粒報價漲幅都在３％以上，最高漲幅逾３．５％，其中
５１２Ｍｂ顆粒均價為０．９４美元，１Ｇｂ顆粒均價為
１．８８美元，是近兩個月來最高。　

集邦表示，ＤＲＡＭ合約價走揚，主要是現貨價彈升，拉大與合
約價價差，ＤＲＡＭ廠不願再低價銷貨所致。ＤＲＡＭ合約價大
漲，也帶動模組報價止跌回穩，１ＧＢ模組漲幅超過３％，均價
１８美元；２ＧＢ模組均價則維持平盤４２美元。
<摘錄經濟A3版>