模組業 蠟燭兩頭燒 DRAM與NAND價格再跌 威剛創見面臨庫存損
失壓力 營運添陰影

記憶體市況再露疲態，５１２Ｍｂ　ＤＤＲⅡＤＲＡＭ有效測試
顆粒（ｅＴＴ）報價再度跌破１美元重要關卡，本周直朝０．９
美元測底，ＮＡＮＤ　Ｆｌａｓｈ也走不出淡季束縛，價格持續
萎縮，威剛（３２６０）、創見（２４５１）等記憶體模組業者
面臨「蠟燭兩頭燒」，庫存損失壓力疑慮再起，營運走勢蒙添陰
影，力晶（５３４６）、南科（２４０８）等ＤＲＡＭ廠本季虧
損又出現增加壓力。

根據集邦科技昨天報價，ＤＲＡＭ現貨價前波強漲態勢不再，
５１２Ｍｂ與１Ｇｂ有效測試顆粒報價回跌至０．９美元及
１．９美元附近，已吃光先前耗費約半個月時間的漲幅。

ＮＡＮＤ　Ｆｌａｓｈ現貨價也欲振乏力，先前開出的ＭＬＣ規
格合約價僅８Ｇｂ容量力守３．１美元附近，４Ｇｂ與１６Ｇｂ
報價都重挫３．４５％以上，其中４Ｇｂ更大跌近５％；現貨方
面，８Ｇｂ　ＭＬＣ顆粒已失守３美元關卡。

市況不振，上游晶片製造商業績表現首當其衝；力晶先前曾樂觀
預期，若價格能維持前波漲勢水準，２月營收將延續元月成長氣
勢。但業界普遍認為，２月工作天數較少，再加上農曆年歲修，
營收要成長其實有相當難度，且單價若再走跌，對獲利也會有相
當程度的衝擊。

下游模組業者僅創見去年擁有賺回一個股本的水準，其他業者無
不重創。威剛僅去年第四季每股淨損便高達２．０９元，單季毛
利率為負的２．５５％，是公司掛牌來表現最差的一季，單季庫
存達３６．８億元，隨ＤＲＡＭ與ＮＡＮＤ　Ｆｌａｓｈ兩大產
品價格再露疲態，欲擺脫虧損仍有一定壓力。

通路業者指出，ＤＲＡＭ在前波農曆年前補貨潮帶動下，一度止
跌回穩，但在補貨效應結束後，目前市況已趨於冷清，
５１２Ｍｂ　ＤＤＲＩＩ有效測試顆粒近期恐會跌破０．９美元
，加上國際大廠３月底前季底出清存貨潮即將來臨，對未來價格
走勢恐會雪上加霜；至於ＮＡＮＤ　Ｆｌａｓｈ，目前除淡季壓
力外，國際大廠新製程產能開出，造成供給持續增加，也不利價
格復甦。
<摘錄經濟D4版>