打造全球DRAM霸主夢想 瑞晶R2廠年底進駐設備 第4、5座 12吋
新廠 棄 NAND Flash改投產 50奈米DRAM
力晶為打造全球最大ＤＲＡＭ集團，在ＤＲＡＭ景氣尚未復甦時
，宣佈由爾必達與力晶合資的瑞晶二廠，將最在２００８年底進
駐３萬片產能的設備，原本生產ＮＡＮＤ Ｆｌａｓｈ的Ｐ４與
Ｐ５廠也改投產標準型ＤＲＡＭ，且將直接切入５０奈米製程投
產。
力晶為了完成全球最大ＤＲＡＭ霸主夢想，進幾年來投資１２吋
廠從未間斷，２００２年ＤＲＡＭ景氣渾沌不明時，董事長黃崇
仁獨具慧眼，決定興建第１座１２吋晶圓廠，當時很多同業均認
為不可思議。不過，日後卻讓力晶在ＤＲＡＭ產業奠定重要的地
位，２００８年可說是再一次上演同樣戲碼。
此外，新動土的Ｐ４廠與未來Ｐ５廠將會投產ＤＲＡＭ，力晶評
估後認為現階段投入ＮＡＮＤ Ｆｌａｓｈ市場，並不是很好，
因此力晶新廠不會投入ＮＡＮＤ Ｆｌａｓｈ，未來以Ｐ１或
Ｐ２廠專注ＮＡＮＤ Ｆｌａｓｈ生產，而力晶也會保持３座最
新晶圓廠投產標準型ＤＲＡＭ產能。
他指出一旦Ｐ４與Ｐ５廠完工後，總產能將達到１２萬片，加上
總投資金額為２，５００億元，加上力晶與瑞晶及爾必達產能，
屆時整個聯盟月產能上看５０萬片。
<摘錄電子2版>
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