三月上旬ＤＲＡＭ合約價反映新年需求陸續退潮，而向下開出，
三月下旬因無特別事件刺激需求，法人預期，ＤＲＡＭ仍有下滑
壓力，單月均價跌幅約五％。不過，以三月價格、工作天數回復
正常，以及ＤＲＡＭ廠對外表示的位元成長率推估，三月
ＤＲＡＭ廠營收表現約為小幅成長，惟部分廠商因二月遞延出貨
，成長力道將優於一成。　

分析師認為，台系ＤＲＡＭ廠營收年成長率於第二季開始，負乖
離可望逐漸收斂。依過去經驗顯示，當營收年成長率負乖離開始
收斂時，ＤＲＡＭ廠虧損將快速止跌；預估ＤＲＡＭ價格第二季
觸底反彈、第三季進入損益兩平。　

據集邦科技報價顯示，由於台系ＤＲＡＭ廠從ＤＤＲ２　
５１２Ｍｂ轉進ＤＤＲ２　１Ｇｂ的比例漸增，加上製程的精進
與良率提昇，都讓ＤＤＲ２　ｅＴＴ　１Ｇｂ的顆粒價格加速下
滑；三月以來ＤＤＲ２　ｅＴＴ　１Ｇｂ跌幅九．一％，已逼近
去年低點一．五七美元。　

集邦科技表示，由於ＤＲＡＭ產能不斷擴張的結果，以ＤＤＲ２
　ｅＴＴ　５１２Ｍｂ的價格為例，價格從二○○六年秋季的七
美元下跌至目前的○．八三美元，跌幅達八八％，整個產業鏈除
了封測廠以外，無不受傷慘重。目前大部分的模組廠已將顆粒的
庫存天數從以往的數周壓為三至五天，除了積極發展高附加價值
的超頻市場與伺服器市場外，也同時加重Ｆｌａｓｈ商品的銷售
，以拉近ＤＲＡＭ與Ｆｌａｓｈ的比例。　

模組廠除了維持現有市場，更加強新興市場的拓展　（如俄羅斯
、印度及中東地區），以積極擴大市場佔有率，也藉此阻止其他
競爭對手的進入，並取得與原廠議價時較為優勢的談判條件，並
降低營運上的風險。　

永豐金證券指出，計算台系ＤＲＡＭ廠營收年成長率於去年第四
季達到負五二％（全球ＤＲＡＭ廠亦為負四○％以上）；今年首
季將維持負五○％的歷史新低。然而，第二季開始負乖離將逐漸
收斂。依過去經驗顯示，當營收年成長率負乖離開始收斂時
，ＤＲＡＭ廠虧損將快速止跌，有利營運漸入佳境。
<摘錄工商B3版>