DRAM廠商減產效應本月可望發酵，產業景氣有機會「融冰」。
分析師表示，明年1Gb全年均價若站上1.6美元，對成本結構良好
的DRAM廠商而言，成本有機會下降到1.8美元以下，虧損大幅降
低，營運現金壓力將會大減。

國內DRAM廠商明年農曆年前手中可轉換公司債一一到期，加上
DRAM價格低迷，現金壓力越來越大；但多家DRAM廠商及交易商
預期，明年首季DRAM價格有機會止穩、且逐步向上反彈，明年
全年1Gb規格均價可望較今年彈升六成以上。

國內DRAM廠目前以力晶生產成本最具競爭力，力晶已由70奈米
製程轉入65奈米，明年初將進一步升級至相當於50奈米製程的65
奈米微縮製程，增加20%的產出及減少20%到 30%的成本，配合價
格止跌反彈，力晶明年有機會由虧轉盈。

美光（Micron）上周五股價上漲2.28%，領先國內DRAM廠站穩季
線之上，預料在美光股價帶頭下，配合減產效益發酵，為國內
DRAM類股帶來正面消息。

2007年DRAM市場全年處於供過於求，DRAM全年均價跌幅達54%
，今年受到金融風暴引發全球消費緊縮影響，DRAM全年均價更
將超過六成。目前主流規格DDRII 1Gb現貨價格在1美元附近徘徊
，短線雖不致破底，但價格已嚴重超跌。

國內DRAM廠及交易商集邦等業界人士指出，DRAM廠的減產效應
有助明年第一季價格開始止穩，第二季有機會見到1Gb價格反彈
至1.65美元。

事實上，繼今年9月力晶、爾必達（Elpida）以及海力士（Hynix）
宣布12吋減產、8吋停產後，其他原本宣稱無計劃減產的廠商也陸
續在10月宣布減產。其中華亞科在美光確定入主後，11月開始減
產20%，以準備技術轉換。

南科也暫停三廠二期的擴產計劃，轉而先於三廠一期廠區內進行3
萬片產能的技術轉換，南科本月開始產能將逐步下降，預計明年1
月產能降至零，2月開始轉進美光技術。

集邦表示，預計11月各大DRAM廠減產合計將達12.5萬的12吋產能
，大約占全球12吋晶圓廠總投片量10%，加上9月減產數量，截至
年底全球DRAM總產能減產達16%以上。

<摘錄經濟>